Sú kolektorové a emitorové terminály tranzistora vzájomne zameniteľné? Ak nie, aký je fyzický rozdiel medzi žiaričom a kolektorom?


Odpoveď 1:

Požičané od:

http: //www.nptel.ac.in/courses/1 ...

Biploar tranzistor:

Tranzistor je v podstate kryštál Si alebo Ge obsahujúci tri samostatné oblasti. Môže to byť typ NPN alebo PNP obr. 1. Stredná oblasť sa nazýva základňa a vonkajšie dve oblasti sa nazývajú emitor a kolektor. Vonkajšie vrstvy sú síce rovnakého typu, ale ich funkcie sa nedajú zmeniť. Majú rôzne fyzikálne a elektrické vlastnosti. Vo väčšine tranzistorov je emitor silne dotovaný. Jeho úlohou je emitovať alebo vstrekovať elektróny do základne. Tieto bázy sú ľahko dopované a veľmi tenké, odovzdáva väčšinu elektrónov vstrekovaných žiaričom do kolektora. Dopingová úroveň kolektora je stredná medzi ťažkým dopingom žiariča a ľahkým dopingom bázy. Kolektor je pomenovaný, pretože zbiera elektróny zo základne. Zberateľ je najväčší z týchto troch regiónov; musí odvádzať viac tepla ako žiarič alebo základňa. Tranzistor má dve križovatky. Jeden medzi žiaričom a základňou a druhý medzi základňou a kolektorom. Z tohto dôvodu je tranzistor podobný dvom diódam, jednej emitorovej dióde a inej dióde kolektorovej bázy.

Obr

Keď sa vytvorí tranzistor, difúzia voľných elektrónov cez križovatku vedie k dvom deplečným vrstvám. Pre každú z týchto depléčných vrstiev je bariérový potenciál 0,7 V pre Si tranzistor a 0,3 V pre Ge tranzistor. Deplečné vrstvy nemajú rovnakú šírku, pretože rôzne oblasti majú rôzne úrovne dopingu. Čím silnejšie je oblasť dotovaná, tým väčšia je koncentrácia iónov v blízkosti križovatky. To znamená, že deplečná vrstva preniká hlbšie do základne a mierne do emitora. Podobne prenikol viac do kolektora. Hrúbka deplečnej vrstvy kolektora je veľká, zatiaľ čo spodná deplečná vrstva je malá, ako je znázornené na obr. 2.

Obr


Odpoveď 2:

Budú mať rôzne dopingové vlastnosti. Možno ešte dôležitejšie je, že kolektor odvádza viac odpadového tepla, a preto má k puzdru nižšiu cestu tepelného odporu. Ak si správne pamätám z môjho kurzu polovodičového elektronického zariadenia pred 30 rokmi, existujú fyzické rozdiely vo veľkosti prepojenia emitorov báz oproti prepojeniu kolektorov báz.

Verím, že tranzistor bude pracovať obrátene, ale nie dobre. Ak ste boli naozaj zvedaví, vždy by ste mohli vziať dva malé signálové tranzistory a vygenerovať krivky pre obidva. Ďalej prevráťte jednu z nich a spustite ďalšiu množinu kriviek. Moja predikcia je, že reverzný tranzistor má nižší zisk a väčší únik, ako aj väčší, možno trvalý posun charakteristík pomocou tepla.


Odpoveď 3:

Budú mať rôzne dopingové vlastnosti. Možno ešte dôležitejšie je, že kolektor odvádza viac odpadového tepla, a preto má k puzdru nižšiu cestu tepelného odporu. Ak si správne pamätám z môjho kurzu polovodičového elektronického zariadenia pred 30 rokmi, existujú fyzické rozdiely vo veľkosti prepojenia emitorov báz oproti prepojeniu kolektorov báz.

Verím, že tranzistor bude pracovať obrátene, ale nie dobre. Ak ste boli naozaj zvedaví, vždy by ste mohli vziať dva malé signálové tranzistory a vygenerovať krivky pre obidva. Ďalej prevráťte jednu z nich a spustite ďalšiu množinu kriviek. Moja predikcia je, že reverzný tranzistor má nižší zisk a väčší únik, ako aj väčší, možno trvalý posun charakteristík pomocou tepla.